美银：第三季度DRAM均价或环比上涨21%，高于TrendForce预测

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韩国Meritz证券：中东主权AI投资者开始与韩国厂商洽谈中长期存储采购，预计Q3 DRAM合约价环比涨幅或超15%

#韩国 #沙特阿拉伯 #DRAM

摩根士丹利：内存短缺加剧，DRAM价格第三季度环比或上涨至少25%

#摩根士丹利 #Joseph Moore #DRAM

SK海力士启动3D堆叠DRAM研发，布局端侧AI存储新技术

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长鑫科技上市表现预测一览：市盈率对标海力士可冲击3万亿元，AI上行周期下可达5万亿元

#长鑫科技 #中国 #DRAM

SK海力士(SKHY.O)：第二季度DRAM平均售价较第一季度上涨约30%。

#SK海力士 #DRAM

苹果(AAPL.O)CEO库克：如果有更多的DRAM供应商，那将是件好事。

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韩国DRAM出口单价7月创历史新高

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野村大幅上调三星电子盈利预测，2028年营业利润有望突破770万亿韩元，自由现金流与股东回报同步飙升

#三星电子 #韩国 #DRAM

全球存储ETF纳入长鑫科技，中国DRAM龙头获国际资本关注

#长鑫科技 #Roundhill Memory ETF #DRAM

DigiTimes：2027年DRAM与HBM产能已售罄

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SK海力士DRAM市场份额仅领先美光约1个百分点，HBM价格变化成关键因素

#SK海力士 #美光 #DRAM

瑞银：维持美光评级和1625美元目标价，AI内存紧缺将继续重估盈利

#美光 #HBM #DRAM

存储涨价行情或延续至四季度，华尔街对美光平均目标价为1549美元

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高盛继续上调半导体设备周期预期，预计可延长至2028年

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长鑫科技：展望2026年下半年 全球DRAM产品供给紧缺格局将继续延续
8月28日讯，长鑫科技公告，展望2026年下半年，全球DRAM产品供给紧缺格局将继续延续。
公司将持续关注宏观经济波动、地缘政治局势等外部影响，直面多重挑战，把握发展机遇，锚定全年业绩增长目标、新应用场景拓展、重点项目落地、产学研深度融合等方向发力，力争在运营效能提升、产品迭代升级、长期发展布局、开放协同创新等方面取得更大突破，进一步强化核心竞争力，扩大市场影响力。

#长鑫科技 #DRAM

Serenity加码看多晶豪科：DDR3涨价远超卖方预期，ASP上修至环比翻倍，经营杠杆全面打开

#晶豪科 #DDR3 #DRAM

1. 英伟达系列GPU租赁价格多数上涨。
2. 华工科技：华工正源100G SFP112光模块即将亮相CIOE 2026。
3. 三星电子联合Arm研发下一代端侧AI芯片。
4. 机构：2026年二季度全球DRAM市场营收同比上升385%。
5. SK海力士加快1c DRAM转型，领跑韩国HBM4E竞争。
6. 群联：明年NAND Flash供应仍吃紧，AI带动的半导体需求才刚开始。
7. 存储涨价推高手机成本，2026年全球在售智能手机价格平均上涨约15%。
8. 机构：CPU供给改善，2026年全球笔记本出货年减幅收敛至9.4%。
9. 铠侠拟推动NAND闪存替代部分DRAM。
10. 韩国央行：韩国存储芯片产能优势有望进一步扩大。
11. 七部门：加强存算一体、高性能存储、数据压缩、分布式训练框架、DB4AI（数据库为AI服务）等关键支撑技术研发。
12. 美光计划在年底前进行大规模的设备投资，以提升最新一代HBM——HBM4 12层产品的供应能力。

#韩国 #DRAM #NAND Flash

分析：2026年二季度DRAM产业营收环比大增59.5%，AI需求增长仍快于供给扩张

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Entropy花费500枚HYPE拍下DRAM代码，预计将上线io:DRAM永续合约

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